Vego's functionele IC data-base:

Array's voor hoge spanningen en/of stromen

LEUKE, HANDIGE, NUTTIGE EN GOEDKOPE ELEKTRONICA PRODUCTEN VAN VEGO
klik hier voor compleet overzicht

Door Supertex Unc. wordt een serie MOSFET-array's op de markt gebracht, die uitstekend geschikt zijn voor het aansturen van belastingen die uit hoge spanningen gevoed worden en vrij hoge stromen kunnne leveren.
De MOSFET's zijn in staat spanningen van 40 V tot 400 V te weerstaan en kunnen stromen leveren van 40 mA tot 1,4 A.
Vanwege de MOS-structuur kunnen de ingangen rechtstreeks gevoed worden uit MOS-logica.

elektronica

Er zijn P- en N-typen leverbaar en een paar complementaire array's, die twee of vier N/P-paren bevatten.

VN0104 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 40 V, 560 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 40 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don 560 mA max. continu, 2,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.

VP0104 4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -40 V, -350 mA, 8 Ohm
drain/source spanning -40 V max., R_DSon 8 Ohm max., I_Don -350 mA max. continu, -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.

VC0106 2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 60/-60 V, 560/-350 mA, 11 Ohm
drain/source spanning 60/-60 V max., R_DSon 11 Ohm max., I_Don N-kanaal 560 mA max. continu, N-kanaal 2,0 A max. puls, P-kanaal -350 mA max. continu, P-kanaal -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.

VN0106 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 560 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 60 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don 560 mA max. continu, 2,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.

VP0106 4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -60 V, -350 mA, 8 Ohm
drain/source spanning -60 V max., R_DSon 8 Ohm max., I_Don -350 mA max. continu, -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.

AN0116 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 160 V, 25 mA, 300 Ohm
drain/source spanning 160 V max., drain/gate spanning 160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0116 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -160 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -160 V max., drain/gate spanning -160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0120 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 200 V, 25 mA, 300 Ohm
drain/source spanning 200 V max., drain/gate spanning 200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 µA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0120 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -200 V, -15 mA, 600 Ohm
drain/source spanning -200 V max., drain/gate spanning -200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 µA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0130 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 300 V, 25 mA, 300 Ohm
drain/source spanning 300 V max., drain/gate spanning 300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0130 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -300 V, -15 mA, 600 Ohm
drain/source spanning -300 V max., drain/gate spanning -300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0132 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 320 V, 25 mA, 350 Ohm
drain/source spanning 320 V max., drain/gate spanning 320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0132 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -320 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -320 V max., drain/gate spanning -320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0140 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 400 V, 25 mA, 350 Ohm
drain/source spanning 400 V max., drain/gate spanning 400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0140 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -400 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -400 V max., drain/gate spanning -400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0416 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 160 V, 25 mA, 350 Ohm
drain/source spanning 160 V max., drain/gate spanning 160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0416 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -160 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -160 V max., drain/gate spanning -160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0420 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 200 V, 25 mA, 300 Ohm
drain/source spanning 200 V max., drain/gate spanning 200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 µA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0420 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -200 V, -15 mA, 600 Ohm
drain/source spanning -200 V max., drain/gate spanning -200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 µA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0430 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 300 V, 25 mA, 300 Ohm
drain/source spanning 300 V max., drain/gate spanning 300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0430 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -300 V, -15 mA, 600 Ohm
drain/source spanning -300 V max., drain/gate spanning -300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0432 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 320 V, 25 mA, 350 Ohm
drain/source spanning 320 V max., drain/gate spanning 320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0432 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -320 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -320 V max., drain/gate spanning -320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AN0440 8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 400 V, 25 mA, 350 Ohm
drain/source spanning 400 V max., drain/gate spanning 400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

AP0440 8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -400 V, -15 mA, 700 Ohm
drain/source spanning -400 V max., drain/gate spanning -400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.

TC0604 2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 1.000/-600 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 40/-40 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 1,0 A max. continu, N-kanaal 4,0 A max. puls, P-kanaal -600 mA max. continu, P-kanaal -2,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.

TN0604 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 40 V, 1 A, 1 Ohm
drain/source spanning 40 V max., R_DSon 1 Ohm max., I_Don 1,0 A max. continu, 4,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.

TP0604 4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -40 V, -600 mA, 2 Ohm
drain/source spanning -40 V max., R_DSon 2 Ohm max., I_Don -600 mA max. continu, -2,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.

TN0606 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 1.400 mA, 1,5 Ohm
drain/source spanning 60 V max., R_DSon 1,5 Ohm max., I_Don 1,4 A max. continu, 6,0 A max. puls, dissipatie 3 W max., DIL-14, Supertex Inc.

TP0606 4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -60 V, -650 mA, 3,5 Ohm
drain/source spanning -60 V max., R_DSon 3,5 Ohm max., I_Don -650 mA max. continu, -3,5 A max. puls, dissipatie 3 W max., DIL-14, Supertex Inc.

VQ1000 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 225 mA, 7,5 Ohm
drain/source spanning 60 V max., drain/gate spanning 60 V max., gate/source spanning +/-30 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 7,5 Ohm max., I_Don 225 mA max. continu, 1,0 A max. puls, I_Dss 500 µA max., ingangscapaciteit 60 pF max., uitgangscapaciteit 25 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.

VQ1001 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 30 V, 850 mA, 1 Ohm
drain/source spanning 30 V max., drain/gate spanning 30 V max., gate/source spanning +/-40 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 1,0 Ohm max., I_Don 850 mA max. continu, 3,0 A max. puls, I_Dss 10 µA max., ingangscapaciteit 110 pF max., uitgangscapaciteit 110 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.

VQ1004 4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 460 mA, 5 Ohm
drain/source spanning 60 V max., drain/gate spanning 60 V max., gate/source spanning +/-40 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 5 Ohm max., I_Don 460 mA max. continu, 2,0 A max. puls, I_Dss 500 µA max., ingangscapaciteit 60 pF max., uitgangscapaciteit 50 pF max., turn-on delay 10 ns typ., turn-off delay 10 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.

TQ3001 2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 1,6/-2,4 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.

VQ3001 2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 2,0/-3,0 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.

VQ7254 2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm
drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 2,0/-3,0 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.

Interessante elektronica links
Klik hier ... Kattenschrikdraad installatie houdt katten in of uit uw tuin
Klik hier ... Boeken voor de elektronicus
Klik hier ... Software voor schema tekenen, print ontwerpen en simulatie
Klik hier ... Goedkope digitale oscilloscopen, via USB aan te sluiten op uw PC
Klik hier ... Goedkope meetapparatuur voor het testen van uw onderdelen
Klik hier ... Draadloze elektronica in uw huis
Klik hier ... Inbraakalarm van Marmitek en KlikAanKlikUit
Klik hier ... Bespaar energie met PowerSafer

VN0104	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 40 V, 560 mA, 3 Ohm drain/source spanning 40 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don 560 mA max. continu, 2,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.
VP0104	4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -40 V, -350 mA, 8 Ohm drain/source spanning -40 V max., R_DSon 8 Ohm max., I_Don -350 mA max. continu, -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.
VC0106	2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 60/-60 V, 560/-350 mA, 11 Ohm drain/source spanning 60/-60 V max., R_DSon 11 Ohm max., I_Don N-kanaal 560 mA max. continu, N-kanaal 2,0 A max. puls, P-kanaal -350 mA max. continu, P-kanaal -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.
VN0106	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 560 mA, 3 Ohm drain/source spanning 60 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don 560 mA max. continu, 2,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.
VP0106	4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -60 V, -350 mA, 8 Ohm drain/source spanning -60 V max., R_DSon 8 Ohm max., I_Don -350 mA max. continu, -1,0 A max. puls, dissipatie 2 W max., DIL-14, Supertex Inc.
AN0116	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 160 V, 25 mA, 300 Ohm drain/source spanning 160 V max., drain/gate spanning 160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0116	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -160 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -160 V max., drain/gate spanning -160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0120	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 200 V, 25 mA, 300 Ohm drain/source spanning 200 V max., drain/gate spanning 200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 µA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0120	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -200 V, -15 mA, 600 Ohm drain/source spanning -200 V max., drain/gate spanning -200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 µA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0130	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 300 V, 25 mA, 300 Ohm drain/source spanning 300 V max., drain/gate spanning 300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0130	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -300 V, -15 mA, 600 Ohm drain/source spanning -300 V max., drain/gate spanning -300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0132	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 320 V, 25 mA, 350 Ohm drain/source spanning 320 V max., drain/gate spanning 320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0132	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -320 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -320 V max., drain/gate spanning -320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0140	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 400 V, 25 mA, 350 Ohm drain/source spanning 400 V max., drain/gate spanning 400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0140	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -400 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -400 V max., drain/gate spanning -400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 7,5 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 3 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 3 ns typ., daaltijd 3 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0416	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 160 V, 25 mA, 350 Ohm drain/source spanning 160 V max., drain/gate spanning 160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0416	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -160 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -160 V max., drain/gate spanning -160 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0420	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 200 V, 25 mA, 300 Ohm drain/source spanning 200 V max., drain/gate spanning 200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 µA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0420	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -200 V, -15 mA, 600 Ohm drain/source spanning -200 V max., drain/gate spanning -200 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 µA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0430	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 300 V, 25 mA, 300 Ohm drain/source spanning 300 V max., drain/gate spanning 300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 300 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0430	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -300 V, -15 mA, 600 Ohm drain/source spanning -300 V max., drain/gate spanning -300 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 600 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0432	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 320 V, 25 mA, 350 Ohm drain/source spanning 320 V max., drain/gate spanning 320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 nA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0432	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -320 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -320 V max., drain/gate spanning -320 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1,5 nA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AN0440	8 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 400 V, 25 mA, 350 Ohm drain/source spanning 400 V max., drain/gate spanning 400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning 5 V max., R_DSon 350 Ohm max., I_Don 25 mA min., I_Dss 1 mA max., ingangscapaciteit 12 pF max., uitgangscapaciteit 8,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
AP0440	8 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -400 V, -15 mA, 700 Ohm drain/source spanning -400 V max., drain/gate spanning -400 V max., gate/source spanning +/-20 V max., gate-threshold spanning -5 V max., R_DSon 700 Ohm max., I_Don -15 mA min., I_Dss -1 mA max., ingangscapaciteit 8,0 pF max., uitgangscapaciteit 5,0 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 8 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., overspraak 10 mV/V max., DIL-18, SOW-20, Supertex Inc.
TC0604	2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 1.000/-600 mA, 3 Ohm drain/source spanning 40/-40 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 1,0 A max. continu, N-kanaal 4,0 A max. puls, P-kanaal -600 mA max. continu, P-kanaal -2,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.
TN0604	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 40 V, 1 A, 1 Ohm drain/source spanning 40 V max., R_DSon 1 Ohm max., I_Don 1,0 A max. continu, 4,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.
TP0604	4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -40 V, -600 mA, 2 Ohm drain/source spanning -40 V max., R_DSon 2 Ohm max., I_Don -600 mA max. continu, -2,0 A max. puls, dissipatie 1,5 W max., DIL-20, Supertex Inc.
TN0606	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 1.400 mA, 1,5 Ohm drain/source spanning 60 V max., R_DSon 1,5 Ohm max., I_Don 1,4 A max. continu, 6,0 A max. puls, dissipatie 3 W max., DIL-14, Supertex Inc.
TP0606	4 x P-channel Enchancement Mode MOSFET, -60 V, -650 mA, 3,5 Ohm drain/source spanning -60 V max., R_DSon 3,5 Ohm max., I_Don -650 mA max. continu, -3,5 A max. puls, dissipatie 3 W max., DIL-14, Supertex Inc.
VQ1000	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 225 mA, 7,5 Ohm drain/source spanning 60 V max., drain/gate spanning 60 V max., gate/source spanning +/-30 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 7,5 Ohm max., I_Don 225 mA max. continu, 1,0 A max. puls, I_Dss 500 µA max., ingangscapaciteit 60 pF max., uitgangscapaciteit 25 pF max., turn-on delay 5 ns typ., turn-off delay 5 ns typ., stijgtijd 5 ns typ., daaltijd 5 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.
VQ1001	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 30 V, 850 mA, 1 Ohm drain/source spanning 30 V max., drain/gate spanning 30 V max., gate/source spanning +/-40 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 1,0 Ohm max., I_Don 850 mA max. continu, 3,0 A max. puls, I_Dss 10 µA max., ingangscapaciteit 110 pF max., uitgangscapaciteit 110 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.
VQ1004	4 x N-channel Enchancement Mode MOSFET, 60 V, 460 mA, 5 Ohm drain/source spanning 60 V max., drain/gate spanning 60 V max., gate/source spanning +/-40 V max., gate-threshold spanning 2,5 V max., R_DSon 5 Ohm max., I_Don 460 mA max. continu, 2,0 A max. puls, I_Dss 500 µA max., ingangscapaciteit 60 pF max., uitgangscapaciteit 50 pF max., turn-on delay 10 ns typ., turn-off delay 10 ns typ., DIL-14, Supertex Inc.
TQ3001	2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 1,6/-2,4 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.
VQ3001	2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 2,0/-3,0 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.
VQ7254	2 x Complementair Enchancement Mode MOSFET, 40/-40 V, 640/-450 mA, 3 Ohm drain/source spanning 40/-40 V max., drain/gate spanning 40/-40 V max., gate/source spanning 2,0/-3,0 V max., R_DSon 3 Ohm max., I_Don N-kanaal 640 mA max. continu, N-kanaal 3,0 A max. puls, P-kanaal -450 mA max. continu, N-kanaal -3,0 A max. puls, I_Dss 0,5/-0,5 µA max., ingangscapaciteit 195 pF max., uitgangscapaciteit 120 pF max., turn-on delay 30 ns typ., turn-off delay 30 ns typ., DIL-14, LCC-20, Supertex Inc.

Vego's functionele IC data-base:

Array's voor hoge spanningen en/of stromen

Klik hier ... en ga terug naar de index van Vego's IC data-base Klik hier ... en ga terug naar de hoofd-inhoud van de Vego-site

Klik hier ... en ga terug naar de index van Vego's IC data-base
Klik hier ... en ga terug naar de hoofd-inhoud van de Vego-site